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更新時間:2023-06-13 19:20:25瀏覽次數(shù):129次
聯(lián)系我時,請告知來自 環(huán)保在線離子研磨儀 IM4000II
IM4000II配備截面研磨能力達(dá)到500 µm/h*1以上的高效率離子槍。因此,即使是硬質(zhì)材料,也可以高效地制備出截面樣品。
*1
在加速電壓6 kV下,將Si片從遮擋板邊緣突出100 µm并加工1小時的深度
樣品:Si片(2 mm厚)
加速電壓:6.0 kV
擺動角度:±30°
研磨時間:1小時
截面研磨時如果擺動的角度發(fā)生變化,加工的寬度和深度也會發(fā)生變化。下圖為Si片在擺動角度為±15°下進(jìn)行截面研磨后的結(jié)果。除擺動角度以外,其他條件與上述加工條件一致。通過與上面結(jié)果進(jìn)行對比后,可發(fā)現(xiàn)加工的深度變深。
對于觀察目標(biāo)位于深處的樣品來說,能夠?qū)悠愤M(jìn)行更快速的截面研磨。
樣品:Si片(2 mm厚)
加速電壓:6.0 kV
擺動角度:±15°
研磨時間:1小時
即使是由不同硬度以及研磨速度材質(zhì)所構(gòu)成的復(fù)合材料,也可以通過IM4000Ⅱ制備出平滑的研磨面
優(yōu)化加工條件,降低因離子束所致樣品的損傷
可裝載20 mm(W) × 12 mm(D) × 7 mm(H)的樣品
金屬以及復(fù)合材料、高分子材料等樣品的截面制備
含有裂縫和空隙等特定位置的樣品截面制備
多層樣品的截面制備以及對樣品EBSD分析的前處理
直徑約為5mm范圍內(nèi)的均勻加工
應(yīng)用領(lǐng)域廣泛
可裝載直徑50 mm × 高度25 mm的樣品
可選擇旋轉(zhuǎn)和擺動(±60度,±90度的擺動)2種加工方法
去除機械研磨中難以消除的細(xì)小劃痕和形變
去除樣品表層部分
消除因FIB加工所致的損傷層
*1 將Si片從遮擋板邊緣突出100 µm并加工1小時的深度。
*2 需與主機同時訂購。冷卻溫度控制功能在使用時,部分功能可能使用有限。
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